MOSFET场效应管

一、MOSFET的简介

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称MOSFET.是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为N-MOSFET与P-MOSFET, MOSFET广泛用于电路电子开关。

二、MOSFET的选用技巧

1.选用N沟道还是P沟道，在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常是出于对电压驱动的考虑;

2.额定电压越大，器件的成本就越高，Vos必须覆盖电路额定工作电压范围并且注意温度曲线;
3.确定额定电流，额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流;

4.选好额定电流后，还必须计算导通损耗。MOSFET在“导通”时就像-一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件功率耗损可由lload2xRDS(ON)计算也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，Ros(ON)就会越小;反之Rps(ON)就会要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较设计，可采用较高的电压。注意Ros(ON)电阻会随着电流轻微上升;

5.决定开关性能，是栅极/漏极、栅极/源极及漏极源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。

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LM8S6NP03	SOP-8	30/-30	6@N -6@P	20	1.5/-1.5	18.5/35.2	22/42	30.3/42.6	37/50
LM6604	SOT-23-6	20/-20	2.8@N -2.8@P	12	0.75/-0.7	-	-	47/70	65/96
LMSC05N02A	SOT-23-6	20/-20	5.6@N -3.7@P	10	0.62/-0.62	-	-	19.5/49	25/64
LM3439	SOT-363	20/-20	0.75@N -0.66@P	12	0.35~1.1/-0.35~-1.1	-	-	260/460	400/700
LMAK130N04	TO-252	40	130	20	1.1~2.2	2.5	2.8	3.3	3.8
LMAK15N10	TO-252	100	15	20	1.6	90	110	100	125
LMTL3P02	SOT-23	-20	-1	0.6				55	80
LM8S10NP04		40	9.8	1.6	1.6	17.5	26	25	35
2N7002KCW	SOT-323	72	1	2	1.3	1100	1600	1300	2000
LM1D07N02K	DFN1006-3	20	600	±8	0.5	-	-	0.25	0.4
LMTL3N04	SOT-23	40	-	2.5	1.5	28	40	35	50
LMFB7N65	TO-220F	650	7	±30V	3月4日	1.1	1.35
LMFZ18N50	TO-263	500	18	±30V	3月4日	0.28	0.34
LMAK4N65	TO-252	650	4	±20	3月4日	2	2.4
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LMT6L7P04	SOT23-6	-40	-7	20	-1.6	28	35	38	50
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LM3D26P06	DFN3.3*3.3-8	-60	-26.5	20	-1.5~-2.3	20	25	25	32

语言

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