上海雷卯电子-MOSFET场效应管_MOS管选型_电源管理解决方案_电磁兼容EMC免费测试供应厂家

N沟道MOSFET

LM3D60N03

  • PackagePDFN3.3*3.3
  • Vdss Min(V) Drain-Source voltage30
  • Drain Current ID(A)25℃60
  • Vgs(V)20
  • Vth Typ1.6
  • Ron(10V) (mΩ)Typ7
  • Ron(4.5V) (mΩ)Typ10
  • 更多 收起
    特性和应用
    特性和应用
    Features
    Vps= 30V Ip= 60A
    RDs(ON)<7.0m2@VGs=10V
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