TSS半导体放电管

TSS半导体放电管

TSS半导体放电管

一、TSS的简介

半导体放电管,简称TSS。TSS是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件,具

有精确导通、快速响应(响应时间ns级)、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌

通流能力较同尺寸的TVS管强,可在无源电路中代替TVS管使用。但它的导通特性接近于短路,不能直

接用于有源电路中,在这样的电路中使用时必须加限流组件,使其续流小于最小维持电流。半导体过压保

护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。

二、TSS的选型技巧:

1. TSS 的Vdm应高于被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和"高端”容限。若选

用的Vdm太低,器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压,并行

连接分电流;

2.转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压;

3. TSS 的IPP应大于电路瞬态浪涌电流;

4.根据PCB布局或喜好选用TSS封装结构。

Part Number Vdrm(V)
All
6
15
25
58
65
75
90
120
140
167
170
180
190
220
275
320
340
360
400
Idrm(μA)
All
-
1
5
Vs(V)
All
-
15
25
32
40
77
87
88
98
130
160
180
220
260
300
350
400
450
Ih(mA)
All
20
50
120
150
Is(mA)
All
-
800
It(A)
All
-
2.2
4.6
Vt(V)
All
-
4
Cj(pF)
All
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
70
100
Package
All
SMA
SMB
SOP-8
TO-92
VBO(Min)V
All
80
95
105
110
120
130
140
190
205
220
240
270
320
375
440
505
VBO(MAX)V
All
100
115
120
125
140
145
170
215
230
250
280
330
390
460
530
600
VDRM (MIN)V
All
65
75
85
90
95
105
115
150
165
175
190
215
260
310
360
420
IDRM (MAX)uA
All
10
VTM(MAX)V
All
1.5
IT(MAX)A
All
1
IH(MAX)mA
All
100
Package
All
DO-15
Inner Diagram Data sheet
K2400L 220 250 175 10 1.5 1 100 DO-15 K2400L
K2400L
K2500L 240 280 190 10 1.5 1 100 DO-15 K2500L
K2500L
K3000L 270 330 215 10 1.5 1 100 DO-15 K3000L
K3000L
K3500L 320 390 260 10 1.5 1 100 DO-15 K3500L
K3500L
K4000L 375 460 310 10 1.5 1 100 DO-15 K4000L
K4000L
K4500L 440 530 360 10 1.5 1 100 DO-15 K4500L
K4500L
K5000L 505 600 420 10 1.5 1 100 DO-15 K5000L
K5000L
LM8S7N10 1 SOP-8 LM8S7N10
LM8S7N10
P0300SD 25 5 40 50 800 2.2 4 100 SMB P0300SD
P0300SD
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