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ESD 0201/DFN0603
0201 DFN0603 DFN0603-2 TSSLP-2-3 DSN2 TSSLP-2-4  
采用专有硅雪崩技术装配的齐纳二极管,保护每一输入/输出引脚,为可能经历破坏性静电放电 (ESD)的电子设备提供高层次保护。
该二极管功能强大,可安全收±30kV(接触放电,IEC 61000-4-2)时反复性ESD震击,性能无任何降低。
此外,每个二极管还可在很低的箝位电压下安全耗散7A的8/20μs波形浪涌电(IEC61000-4-5)。
极小的封装尺寸 可节省PCB空间
封装尺寸:0.6*0.3*0.2mm 
工作电压:3.3V, 5V, 8V, 12V
电容:普通电容, 超低电容<1PF
特性:单向双向可选, 1路, 低泄漏电流
符合ESD IEC61000-4-2 ±15KV (空气)±8KV (触点)
最高可满足ESD IEC61000-4-2 ±30KV (空气)±25KV (触点) 
应用:USB2.0电源数据线, 机顶盒,SIM卡, 手机,PDA, 数码相机等便携式电子产品



Part Number Vrwm(V) Vbr(V) Vc(V) Ir(μA) Cj(pF) Ppp(W) Package Inner Diagram
ESD3321C 3.3 5.1 7 0.1 12 200 0201
ESD0521C 5 6 8 0.2 10 60 0201
ULC0521C 5 6 12 0.02 0.26 125 0201
ESD1221 12 12.3 14.5 1 25 200 0201
MVR0201-5R5E0R8 5 0.1 0.8 0201
PESD0201MV05 5 0.01 0.05 0201
PESD0521U080 5 0.1 0.8 0201
PESD11B8V0 8 17 9.3 0.5 4 100 0201
PESD1821U005 5 0.1 0.05 0201
PESD1221U005 12 0.1 0.05 0201
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